Подойдет ли оперативная память ddr3 на ddr3l. Ddr3l и ddr3 — разница между типами оперативной памяти. DDR3 или DDR4, что лучше

DDR3 vs DDR4. Кто круче?

Добрый день, уважаемые читатели. У многих возникает вопрос, какую оперативную память выбрать DDR3 или DDR4 ? В чем отличие между ними и что лучше подходит для игр? Сегодня мы разберемся во всех этих вопросах и затронем сопутствующие вопросы по этой теме. Мы, конечно, уже разбирались в вопросе, но сегодня подробнее остановимся именно на этих двух типах памяти. Почему? Потому что не все могут с легкостью определиться в выборе. Мы поможем!

Как известно, технология DDR4 появилась на рынке вместе с процессорами 6-го поколения от Интел под кодовым названием SkyLake (небесное озеро). Соответственно использовать DDR4 желательно только с новыми процессорами 6-го и 7-го поколения (и выше).

А вот с какого поколения процессоры начнут поддерживать пока не известно.

Чем отличается DDR3 от DDR4?

Вы, скорее всего, знаете, что оперативная память развивается не так быстро, как процессоры. Новое поколение процессоров выходит практически каждый год, а вот оперативная память DDR3 прочно оккупировала рынок уже с далекого 2007 года. Точнее в 2007 она появилась, а в 2010 вытеснила DDR2. Теперь давайте поговорим про основные отличия памяти DDR4 от предыдущего поколения.

Технически, конечно же, новое поколение оперативной памяти более совершенно (спасибо кэп =D). Во-первых, снижено энергопотребление (и теплоотдача соответственно). Планка памяти DDR3 имела напряжение 1,5-2 Вольта, а у DDR4 напряжение снижено до 1,05-1,2 Вольта. Хотя это больше ощутимо для серверов, чем для домашних зверьков. Во-вторых, увеличен частотный диапазон. DDR3 работал на частотах от 800Мгц до 2933Мгц, а DDR4 начинает диапазон на частоте 2133Мгц и заканчивает пока на 4400Мгц , но, видимо, это еще не предел. Судите сами, насколько значительнее будет разница в производительности такой памяти.

DDR3 – от 800 до 2933Мгц

DDR4 – от 2133 до 4400Мгц+

Можно ли вставить DDR3 в слот DDR4 или наоборот?

Многие люди задаются вопросом совместимости этих двух типов оперативной памяти. Ну какая может быть совместимость DDR3 и DDR4? О чем вы вообще? Если вы посмотрите внимательно на форму самих планок ОЗУ, то вы увидите, что они немного отличаются. Каждое поколение ОЗУ (DDR, DDR2, DDR3 и DDR4) специального немного отличается от остальных. Выемка (ключ), которая расположена на стороне с контактами, на каждом типе памяти находится в разном месте, тем самым препятствуя попыткам вставить планку не в свое гнездо.

Можно ли вставить DDR3 в слот DDR4?

  • Вставить планку ОЗУ DDR3 в слот DDR4 нельзя!
  • Вставить планку ОЗУ DDR4 в слот DDR3 нельзя, соответственно, тоже!

Есть, правда, один нюанс. Бывает такое, что материнская плата имеет отдельные слоты под память DDR3 и под DDR4. Допустим, вы решили апгрейдить компьютер. Извлекаете память DDR3 из своих слотов и вставляете DDR4 в ДРУГИЕ слоты , в те, которые предназначены именно для оперативки DDR4 . По-другому никак!

Если вы вдруг осознали, что вам не хватает ОЗУ на компьютере, то ознакомьтесь с нашими советами на этот счет в статье, которая поможет физически и не только.

DDR3 или DDR4, что лучше?

Вопрос с подвохом. Вроде бы уже все выяснили, что DDR4 новее, быстрее и экономичнее, а тут такой вопрос. И все же давайте выясним, что лучше?

А подвох тут вот в чем! Если взять, например, DDR3 2400Мгц и DDR4 2400Мгц , то в этой схватке одержит победу….. одержит победу… отгадайте кто?… DDR3 ! Почему так происходит? В ОЗУ существует такая характеристика как тайминг задержки. Выглядит она примерно так 9-9-9-24 или 9-10-10-24. В общем, чем этот показатель ниже, тем выше скорость оперативной памяти.

И случилось так, что в силу своей архитектуры DDR4 имеет тайминги выше, чем у DDR3. Именно поэтому при одинаковых частотах в тестах DDR4 немножко проигрывает памяти DDR3. Но стоит только взять память DDR4 с частотой 3200 или 4000 Мгц, как вы заметите огромную разницу в пользу DDR4!

Вот теперь и думайте, что лучше DDR3 или DDR4? Все зависит от многих факторов. Например, какую частоту оперативной памяти поддерживает ваша , есть ли в ней потенциал для дальнейшего .

Лучшая оперативная память (из DDR3 и DDR4)

Давайте заглянем в несколько интернет магазинов и попробуем определить какие планки (наборы) ОЗУ могут претендовать на звание «Лучшая оперативная память » в текущем 2018 году. Мы рассмотрим лучших представителей из DDR3 и DDR4 типов и приведем в таблице основные параметры и фирму-производителя. Смотрите и анализируйте.

DDR4

Производитель,

модель

Объем Частота, MHz Производи-тельность на планку Производи-тельность на комплект Цена комплекта, рублей
Corsair CMW64GX4M4C3466C16W 4 x 16Gb
(64Gb)
3466 216,6 866,5 56940
CORSAIR Vengeance LPX CMK16GX4M2F4600C19 2 x 8Gb
(16Gb)
4600 242.1 484.2 43000
CORSAIR Vengeance RGB Pro CMW16GX4M2K4000C19 2 x 8Gb
(16Gb)
4000 210.5 421 21490
CRUCIAL Ballistix Elite BLE2K8G4D36BEEAK 2 x 8Gb
(16Gb)
3600 225 450 14800
CRUCIAL Ballistix Sport LT BLS2K8G4D30AESBK 2 x 8Gb
(16Gb)
3000 200 400 6950
Kingston HyperX Predator HX430C15PB3K2/32 2 x 16Gb
(32Gb)
3000 200 400 15600
CORSAIR Vengeance LPX CMK16GX4M2Z2400C16 2 x 8Gb
(16Gb)
2400 150 300 6470
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 2 x 16Gb
(32Gb)
4000 210,5 421 33360
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 2 x 8Gb
(16Gb)
4400 231,6 463,2 29690

DDR3

Исходя из приведенных в таблицах данных, не скажу, что выбор между двумя поколениями оперативной памяти стал более очевиден. Все осталось так же неявно, как и было. В DDR4 увеличились частоты, но вместе с ними увеличились и тайминги задержки. Если не понятно, как вычислялась производительность, то в статье про вы сможете узнать об этом расчете подробнее. Конечно же, этот коэффициент не идеален, но это лучше, чем ничего.

Совместимость и взаимозаменяемость DDR3 и DDR3L

В общем, единственным отличием между DDR3 и DDR3L является то, что DDR3 работает под напряжением 1,5 Вольт, а DDR3L – 1,35 Вольт. То есть она немного экономней. Про совместимость и взаимозаменяемость можно сказать следующее – можно вставить DDR3L в слот DDR3, все подойдет и будет работать. Также в большинстве случаев DDR3 и DDR3L смогут работать одновременно, но не всегда. Если хотите сэкономить, то только на свой страх и риск.

Вы дочитали до самого конца?

Была ли эта статья полезной?

Да Нет

Что именно вам не понравилось? Статья была неполной или неправдивой?
Напишите в клмментариях и мы обещаем исправиться!

Оперативная памяти типа DDR собрана по стандартам DIMM , который собственно является ее предшественником. Информация может передаваться и по фронту и по спаду благодаря тому, что платформа оснащена микросхемами и транзисторами собранными в TSOP BGA . Информация может передаваться в двойном размере за один такт, все благодаря внедрению новой архитектуры компьютеров 2n Prefetch.

Среди компьютерных технологий, постоянно появляется что-то новое. Теперь микросхемы для модулей типа DDR3 изготавливаются исключительно в корпусах вида BGA . Благодаря этому удалось улучшить транзисторы и появились модели, обладающие двойным затвором.

Особенности памяти DDR3

Планки оперативной памяти бывают от 1 гигабайта до 16 гигабайт, а частота памяти может варьироваться от 100 до 300 МГц. Если говорить о шине, то от 400 до 120 МГц .

Более-менее нормальное значение частоты шины 1066 1600 МГц . Если она увеличивается, то и потребление энергии вместе с ней. Если частота будет 2400, то планки нагреются и будут очень горячими. Чтобы этого не было — устанавливается пассивное охлаждение .

Еще потребление энергии может возрасти, если будет разгоняться компьютер. Это происходит благодаря преобразованиям, используемым внутри планок DDR3 напряжения Vddr.

В структуре памяти этого вида находится 8 банков памяти , а строка ее чипа величиной 2048 байт . Это строение влечет за собой приличные тайминги в работе ОЗУ и снижает скорость переключения между чипами.

Конструкция планок DDR3L практически не отличается от DDR3. Они также оснащены 240 контактами и обладают такими же размерами, кроме высоты.

Также, данный вид оснащен системой пассивного охлаждения, что позволяет ее разгонять , увеличивает производительность, так как повышается потребление энергии. Модуль памяти не выйдет из строя раньше, чем положено, так как тепло будет рассеиваться и не произойдет перегрев.

Стоит отметить, что с 2012 года на рынке можно встретить модификации этой памяти, разработанные для смартфонов DDR3L-RS.

В маркировке памяти, L – это Low , то есть, низкое потребление энергии. В отличии от DDR3 данный вид памяти требует источник, напряжение которого 1,35 В. Это на 10-15% меньшем чем DDR3 и на 40% меньшем чем DDR2. Благодаря тому, что тепла выделяется меньше, то и пассивное охлаждение не нужно, а это сокращает тайминги и делает работу стабильнее и производительнее. Все остальные характеристики ничем не отличаются от DDR3.

DDR3L нельзя заменить на DDR3 т.к. установка в слот для первого типа приведет к несовместимости и запуск не произойдет. Но в обратном порядке возможна замена, однако плата может нагреваться, так как DDR3 требует больше энергии.

В чем отличие DDR3 и DDR3L

Как мы уже и говорили, DDR3L отличается размерами , но незначительно. Далее она потребляет меньше энергии на 15 процентов и выделяет мало тепла. Благодаря этому производительность намного больше, а тайминги меньше. Работает этот тип стабильнее и в разы быстрее.

Оперативно запоминающее устройство (ОЗУ) – модуль временной памяти, который используется в компьютерной архитектуре для хранения определенного набора команд и информации. обеспечивает стабильную и надежную работу операционной системы и запущенных программ и приложений.

С развитием технологий оперативная память постоянно усовершенствовалась: увеличивались ее объем и производительность. Современный тип ОЗУ DDR3 является модернизированной версией своего «предка», который пришел на смену оперативной памяти типа DIMM в далеких 90-х годах.

Конструкция DDR

Прежде чем определять различия между DDR3 и DDR3L следует ознакомиться с конструкцией ОЗУ типа DDR. Оперативная память собрана на форм-факторе своего предшественника DIMM. Платформу оснастили микросхемами, которые собираются в корпусах TSOP BGA и транзисторов, благодаря чему передача информации осуществлялась как по фронту, так и спаду. Осуществление двойной передачи данных за один такт стало возможным за счет реализации в компьютерной архитектуре технологии 2n Prefetch.

Развитие компьютерных технологий и внедрение в производство инновационных привело к тому, что микросхемы для модуля оперативного запоминающего устройства типа DDR3 стали изготавливаться только в корпусах BGA. Это же способствовало модернизации транзисторов, и появились новые модели с двойным затвором Dual-gate. Применения данной технологии позволило сократить величину токов утечки и повысить производительность ОЗУ. Так в ходе своего развития энергопотребление блока памяти снижалось: DDR – 2,6 В, DDR2 – 1,8 В и DDR3 – 1,5 В.

Внимание! Модули памяти типа DDR2 и DDR3 не совместимы и не взаимозаменяемы по механическим и электротехническим показателям. Защита от установки планки оперативной памяти в несоответствующий слот (разъем) реализована за счет расположения ключа в разных местах модуля.

Особенности оперативной памяти DDR3

Планки ОЗУ выпускаются от 1 ГБ до 16 ГБ, а частота памяти может находиться в диапазоне 100 – 300 МГц, а шины от 400 до 120 МГц. В зависимости от частоты шины оперативная память DDR3 обладает разной пропускной способностью:

  • DDR3-1600 – от 2400 до 2500 МБ/сек;
  • DDR3-1866 – от 2800 до 2900 МБ/сек;
  • DDR3-2133 – от 3200 до 3500 МБ/сек;
  • DDR3-2400 – от 3400 до 3750 МБ/сек.

Оптимальными значениями частоты шины оперативно запоминающего устройства являются 1066 – 1600 МГц. При увеличении частоты возрастает энергопотребление модуля памяти вплоть до 1,65 В при частоте шины 2400 МГц. Подобное явление ведет за собой нагрев планок и обильное выделение тепловой энергии. Для устранения подобного недостатка высокопроизводительные платы ОЗУ оснащаются системой пассивного охлаждения, т. е. радиаторами из алюминиевого сплава, которые устанавливаются двустороннюю липкую ленту-термоинтерфейс.

Также повышение энергопотребления может осуществляться при разгоне компьютера или выполнении определенных действий (операций). Это осуществляется внутренними преобразователями за счет использования в планках оперативной памяти DDR3 напряжения Vddr. Следует помнить, что это также ведет к излишнему выделению количества тепла.

Внимание! Выделение количества тепловой энергии выше установленного значения приводит к снижению общей производительности компьютера, появлению «зависания» и «тормозов» операционной системы и выполняемых программ.

Структура DDR3 насчитывает 8 банков памяти, а величина строки ее чипа составляет 2048 байт. Подобное строение, а также недостатки технологии SSTL, из-за которой возможны утечки токов появляются длинные тайминги в работе оперативно запоминающего устройства. Это также приводит к относительно медленному переключению между чипами памяти.

Особенности оперативной памяти DDR3L

По своей конструкции планки оперативной памяти DDR3L аналогичны DDR3. Они имеют те же 240 контактов, габаритные размеры одинаковые за исключением высоты она равна 28 – 32,5 мм против 30,8 мм у DDR3. Подобная разница обуславливается наличием радиаторов в зависимости от модели и фирмы производителя устройства.

Оснащение оперативной памяти DDR3L системой пассивного охлаждения предусматривает возможность ее разгона и увеличения производительности за счет увеличения энергопотребления. Подобное решение позволяет эффективно выполнять отвод и рассеивание обильно выделяемой тепловой энергии для и предотвращения перегрева и преждевременного выхода из строя модуля памяти. Размеры ОЗУ, устанавливаемые в , сопоставимы со стандартными платами DDR3. Большая часть подобных модулей памяти на компьютерном рынке представлена в исполнении с отсутствием радиаторов охлаждения. Подобное решение сводится к тому, что данный класс ПК малопригоден к модернизации и разгону.

Внимание! В начале 2012 года на рынке появилась разновидность данной модификации оперативно-запоминающего устройства DDR3L-RS, она специально разработана под смартфоны.

Индекс «L» в маркировки ОЗУ DDR3L означает Low – сниженное энергопотребление. Данная модификация оперативной памяти в сравнении с DDR3 нуждается в источнике питания, напряжение которого составляет 1,35 В. Данная модернизация приводит к сокращению энергопотребления на 10 — 15% в сравнении с DDR3 и до 40 % относительно DDR2, снижению величины нагрева устройства. То есть уменьшенное выделение тепла предусматривает возможность отказа от пассивного охлаждения и приводит к сокращению таймингов, повышению производительности и стабильности в работе устройства. Остальные технические характеристики оперативной памяти типа DDR3L сопоставимы с ее «прародителем» DDR3.

Совместимость и взаимозаменяемость DDR3 на DDR3L может осуществляться только в обратном порядке. Поскольку установка ОЗУ DDR3 в слот под оперативную память DDR3L приведет к не совместимости по электрическим параметрам и ее запуск не осуществится. Обратная замена возможна, но повышенное значение напряжения под DDR3 может привести к нагреву платы оперативной памяти DDR3L.

Как выбрать оперативную память: видео

За последние несколько лет мобильные процессоры сделали большой шаг в развитии, благодаря чему на рынке сохраняется довольно высокая популярность ноутбуков, неттопов и других компактных конфигураций. Поэтому вполне логично, что у многих пользователей возникает вопрос: «Зачем покупать громоздкий и шумный ПК, если можно обойтись тихим и компактным вариантом системы?». Особенно это актуально для тех, чей круг задач ограничивается серфингом в интернете, работой с офисными приложениями и просмотром фильмов.

Однако, как и любой другой конфигурации, компактной системе также необходимо быть сбалансированной. То есть ее компоненты не должны ограничивать возможности друг друга. Причем это касается абсолютно всех комплектующих, в том числе и оперативной памяти. Как правило, над ее выбором редко когда задумываются, ошибочно предполагая, что все комплекты одинаковые. Но, как и полноразмерные модули памяти, их компактные аналоги отличаются объемом, эффективной частотой работы и набором задержек. Все эти характеристики в большей или меньшей степени влияют на общую производительность системы. Поэтому исследование возможностей наборов оперативной памяти для компактных систем также является довольно актуальной задачей, особенно в наше время.

В данном обзоре мы познакомимся с комплектом DDR3L-1600 Transcend TS512 MSK64 W6 H . Его модули принадлежат к энергоэффективной серии, то есть способны работать при пониженном напряжении. Учитывая, что большинство компактных систем питаются от внешних адаптеров мощностью до 100 Вт, то перед их комплектующими ставятся более жесткие требования в плане энергопотребления. Если же говорить о ноутбуках, то энергоэффективность компонентов и вовсе является чуть ли не определяющим фактором.

Спецификация:

Производитель и модель

Transcend DDR3L-1600

Маркировка модулей

TS512 MSK64 W6 H

Тип памяти

Гарантированный эффективный режим работы (реальная частота, МГц)

Форм-фактор

204-контактные SO-DIMM

Количество модулей в наборе

Объем памяти каждого модуля, ГБ

DDR3-800 11-11-11-28 1,35 В

Поддерживаемое напряжение питания, В

Обычные режимы работы

DDR3-667 10-9-9-24

DDR3-667 9-9-9-24

DDR3-533 8-7-7-19

DDR3-533 7-7-7-19

DDR3-400 6-6-6-14

DDR3-333 5-5-5-12

Расширенные профили XMP

Расширенные профили EPP

Температура воздуха при эксплуатации, °С

Сайт производителя

Упаковка и внешний вид модулей

Комплект DDR3L-1600 Transcend TS512MSK64W6H состоит из двух модулей, каждый из которых поставляется в отдельном пластиковом пакете. Такая упаковка обеспечивает их надежную защиту от пробоя статического электричества. При установке модулей также необходимо принять меры для предотвращения разряда статического электричества, о чем напоминает надпись на наклейке.

Память DDR3L-1600 Transcend TS512MSK64W6H принадлежит к типу SO-DIMM. По сравнению с обычными планками, SO-DIMM-модули уменьшены в размерах, так как зачастую используются в компактных устройствах: ноутбуках, неттопах и мини-компьютерах, построенных на основе материнских плат формата Thin-ITX / Mini-ITX. Длина модуля составляет всего лишь 67,6 мм, а высота - 30 мм.

Сами планки выполнены на текстолите зеленого цвета, с обеих сторон которого прикреплено по 4 чипа памяти. Отдельной системы охлаждения здесь не предусмотрено, что объясняется, во-первых, жестким ограничением размеров, а во-вторых - малым нагревом во время работы. Ведь изначально на память DDR3L-1600 Transcend TS512MSK64W6H подается пониженное напряжение питания 1,35 В.

Во время тестирования комплекта под продолжительной нагрузкой температура модулей составила 40,5°С, что примерно на 10°С ниже, чем у полноразмерных планок стандарта DDR3, работающих при напряжении 1,5 В. Как видим, разница довольно существенная. На всякий случай отметим, что согласно спецификации, максимальная температура воздуха, при которой набор DDR3L-1600 Transcend TS512MSK64W6H разрешается эксплуатировать, составляет 95°С.

Память каждого модуля набрана с помощью 8-ми чипов объемом 512 МБ каждый, производства компании Micron. На одной планке используются микросхемы с маркировкой D9QVG, а на второй - , которые отличаются между собой только ревизией. Судя по официальной документации, установленные чипы имеют скрытый потенциал. Поскольку среди прочих режимов работы числится и DDR3-1866 при таймингах 13-13-13. Иными словами, вместо заявленных 1600 МГц модули памяти DDR3L-1600 Transcend TS512MSK64W6H теоретически могут функционировать и на частоте 1866 МГц.

Идентифицировать микросхему SPD EEPROM по маркировке «4026 8305» не удалось.

На наклейке, обнаруженной на модулях памяти, имеется минимум информации. Указаны лишь эффективная скорость работы (1600 МГц), объем одного модуля (4 ГБ) и его конфигурация (1 ранг х 8 банков).

Более полную техническую информацию, как всегда, можно получить с помощью специальных утилит. Мы отказались от использования популярных программ AIDA64 и CPU-Z, так как они интерпретируют информацию из SPD по старому алгоритму и не всегда корректно. Чтобы избежать появления возможных неточностей, было решено задействовать утилиту Thaiphoon Burner, разработанную специально для диагностики модулей памяти. Ниже подан полный отчет о технических характеристиках модулей из комплекта памяти DDR3L-1600 Transcend TS512MSK64W6H.

Отметим возможность работы как при напряжении 1,35 В, так и при 1,5 В, вследствие чего значительно увеличивается их совместимость с доступными на рынке устройствами.

Тестирование

Для проведения тестов мы использовали такую конфигурацию стенда:

Процессор

Intel Core i3-3240T (LGA1155, 2,90 ГГц, L3 12 МБ) C1E: enable

Материнская плата

Intel DQ77KB (Socket LGA1155)

Жесткий диск

Seagate Barracuda 7200.12 ST3500418AS, 500 ГБ, SATA-300, NCQ

Блок питания

Dell LA65NS0-00 (19,5V, 3,34A)

Оппонентом в тестировании выступал набор памяти DDR3-1333 TwinMOS 9DECBMIB объемом 4 ГБ (2 х 2 ГБ). Оба комплекта проходили тестирование в следующих режимах работы:

Скорость работы, МГц

Набор задержек

Transcend TS512MSK64W6H

Анализ полученных графиков показал, что изменение параметров оперативной памяти влияет на быстродействие предложенной системы. Бенчмарк AIDA64 наглядно демонстрирует, что с увеличением скорости работы модулей существенно растет скорость копирования / записи / чтения из памяти. При переходе с частоты 1333 МГц на 1600 МГц эти показатели увеличились на 19% / 17% / 17% соответственно, а по сравнению со скоростью 1066 МГц прирост уже составлял 47% / 52% / 46%.

В остальных тестах увеличение производительности системы было значительно ниже и составляло примерно 3-10%. Что касается игровых приложений, то, несмотря на использование встроенного графического ядра, они практически никак не «отреагировали» на увеличение скорости памяти.

Если же сравнивать модули DDR3L-1600 Transcend TS512MSK64W6H и DDR3-1333 TwinMOS 9DECBMIB, то оба комплекта шли «ноздря в ноздрю» и во всех тестах в одинаковых режимах работы демонстрировали сопоставимые результаты.

Разгон

Поскольку материнская плата Intel DQ77KB не позволяет поднять частоту оперативной памяти выше 1600 МГц, мы решили провести оптимизацию параметров модулей DDR3L-1600 Transcend TS512MSK64W6H на уровне задержек.

При той же скорости работы (1600 МГц) стандартный набор таймингов 11-11-11-28 был изменен на 10-10-10-25. Правда, при этом пришлось увеличить напряжение питания с 1,35 до 1,5 В.

На быстродействии системы такие манипуляции с параметрами памяти сказались следующим образом.

Тестовый пакет

В номинальном режиме (DDR3-1600 11-11-11-28)

После разгона (DDR3-1600 10-10-10-25)

Разница, %

7Zip, Speed, KB/s

WinRAR, Speed, KB/s

AIDA64 Cache & Memory Benchmark

Warhammer 40,000: Dawn of War II — Retribution

DirectX 10, Low Quality, 1920x1080, fps

Far Cry 2, DirectX 10, Ultra Quality, AA4x/AF16x, fps

1280x800, AA4x/AF16x

1920x1200, AA4x/AF16x

World in Conflict, Maximum Quality, fps

1280x800, NO AA/AF

1920x1200, NO AA/AF

Средний прирост производительности

Средний прирост производительности составил всего лишь 1,84%, что, конечно же, не много. В реальных приложениях эта прибавка останется незамеченной и практически никак не повлияет на скорость выполнения подавляющего большинства задач. Исключением являются лишь некоторые игры и синтетические тесты.

Частота 1600 МГц, задержки - 11-11-11-28

Частота - 1600 МГц, задержки - 10-10-10-25

Как подтверждение этой мысли приводим результаты из оверклокерского бенчмарка SuperPi (32M), снятые до и после разгона оперативной памяти. Как видим, время прохождения теста немного улучшилось.

Чтобы убедиться в стабильности функционирования модулей после оптимизации параметров их работы, было использовано стандартное средство проверки памяти операционной системы Windows 7. После 36-ти циклов теста никаких ошибок не выявлено, что позволяет говорить об удачном разгоне и стабильной работе всей системы. Во время прохождения эксперимента мы также решили измерить температуру модулей памяти, которая составила 42,2°С. Это всего лишь на 1,7°С больше, чем в номинальном режиме работы.

Выводы

Если вы хотите собрать компактную, но в тоже время и производительную систему, или обновить игровой ноутбук, то комплект памяти DDR3L-1600 Transcend TS512 MSK64 W6 H будет отличным вариантом для этих целей. Он обеспечит объем 8 ГБ, что позволит держать в памяти одновременно несколько приложений или свернутую игру и быстро переключаться между ними. Эффективная частота модулей DDR3L-1600 Transcend TS512MSK64W6H составляет 1600 МГц, благодаря чему в некоторых случаях можно будет получить хоть и небольшое, но все же преимущество над аналогами, работающими на скорости 1333 МГц. При этом поддерживается напряжение питания 1,35 В и 1,5 В, что улучшает совместимость с компонентами системы, а также расширяет возможности памяти в плане оптимизации ее параметров. Как показала практика, даже простым понижением задержек можно в некоторых играх добиться 5%-ого прироста производительности (при использовании встроенного графического ядра). Однако никто не мешает вам производить разгон и по частоте, тем более что установленные здесь чипы Micron D9QVG / D9QBJ официально поддерживают скорость 1866 МГц.

Transcend за предоставленный для тестирования комплект памяти.

Выражаем благодарность компании Intel за предоставленное для тестового стенда оборудование.

Статья прочитана 16256 раз(а)

Подписаться на наши каналы

Для своего компьютера или ноутбука, выбрав тип DDR3, можно увидеть не просто DDR3, а еще и DDR3L. В этой статье вы узнаете чем же отличается DDR3 от DDR3L и совместимы ли они между собой.

Отличия DDR3 и DDR3L

Самым основным и единственным отличием данных модулей друг от друга является рабочее напряжение. У классического DDR3 он равно 1.5V , а у более нового DDR3L — 1.35V .

Различить их можно по маркировке.

Маркировка модулей оперативной памяти DDR3 и DDR3L

Таким образом DDR3L экономичнее в плане энергопотребления на 10%. Подобная модернизация уже была несколько лет назад, когда был массовый переход с оперативной памяти типа DDR на DDR2. Тогда DDR работала на 2.5 вольтах, тогда как у DDR2 рабочим напряжением было 1.8 вольта.

Совместимость DDR3 и DDR3L

С полной уверенностью можно сказать, что память типа DDR3L с напряжением 1.35V без каких — либо проблем будет работать во всех материнских платах и ноутбуках, со стандартом памяти DDR3.

Поэтому, покупая DDR3L, можете не переживать, что она не заработает в вашем устройстве. Заработает 100%.

Наличие буквы L в маркировке — признак памяти DDR3L 1.35V, которая работает везде и со всем

А вот если у вас компьютер 2016 года выпуска и позднее, то с очень большой вероятностью в него память DDR3 1.5V может не подойти. Точнее вы то ее вставите в разъем, а вот работать она не будет, так как на DIMM слот памяти подается всего 1.35V, вместо положенных для данной ОЗУ 1.5V.

Особенно это касается ноутбуков и нетбуков, где при проектировании идет борьба за каждый вольт.

Самым правильным вариантом в данном случае будет

Понравилась статья? Поделитесь ей
Наверх